Datenblätter

Infrarot-Detektoren

Infrarot-Detektoren im TO- oder BNC-Gehäuse

Infrarot-Detektoren im TO- oder BNC-Gehäuse

Infrarot-Detektor mit 4-stufiger TE-Kühlung

Infrarot-Detektor mit 4-stufiger TE-Kühlung

PEM-Detektor, Zeitkonstante ca. 0,2 ns

PEM-Detektor, Zeitkonstante ca. 0,2 ns

Erläuterungen zu dem VIGO IR-Detektorprogramm

 

Nach den verwendeten Materialen werden die Detektoren in zwei Gruppen eingeteilt

  • HgCdTe-Detektoren  (oft auch im Deutschen als MCT-Detektoren bezeichnet)
  • InAs und InAsSb-Detektoren

Entsprechend der Einordnung der Halbleiterelemente in das Periodensystem spricht man auch von Detektoren aus II-VI-Halbleitern (Hg, Cd, Te) und  III-V-Halbleitern (In, As, Sb)

Nach dem Funktionsprinzip werden die IR-Detektoren prinzipiell in drei Gruppen eingeteilt

  • PV – Fotovoltaisch
  • PEM – Fotoelektromagnetisch
  • PC – Fotowiderstand (PC = photo conductor)

Die Infrarot-Detektoren werden hinsichtlich der Kühlungsart in zwei Gruppen eingeteilt, in die ungekühlten Detektoren und die Detektoren mit einer 2, 3- oder 4-stufigen TE-Kühlung (entsprechend die Codierung “2TE”, “3TE”  oder “4TE” in der Detektorbezeichnung).

Zusätzlich werden in den Detektorbezeichnungen die Buchstaben “M” und “I” verwendet

  • M für Multiple Junction : Eine Vielzahl von seriellen p-n-Übergängen erhöht die Empfindlichkeit der Detektoren und ermöglicht insbesondere größere Detektor-flächen für langwellige Detektoren.
  • I für optische Immersion : Die optische Immersion verringert die elektrische Fläche in Relation zur optischen Fläche, dadurch verbessert sich das Rauschverhalten des Detektors erheblich.

Ungekühlte Detektoren

Fotovoltaische Infrarot-Detektoren  aus HgCdTe

Fotoleitende  Infrarot-Detektoren aus HgCdTe

Fotovoltaische Infrarot-Detektoren  aus InAs / InAsSb

  • Serie PVA (3 – 8 µm)
  • Serie PVIA (3 – 8 µm)

Photoelektromagnetische  Infrarot-Detektoren  aus HgCdTe

TE gekühlte Detektoren

Fotovoltaische Infrarot-Detektoren aus HgCdTe

Fotovoltaische Infrarot-Detektoren  aus InAs / InAsSb

  • Serie PVA-2TE (3 – 8 µm)
  • Serie PVIA-2TE (3 – 8 µm)
Fotoleitende Infrarot-Detektoren aus HgCdTe

Quadrantendetektoren und Arrays

Quadranten-Detektoren aus HgCdTe

  • Serie PCQ (3 – 8 µm)
  • Serie PVQ (8 – 11 µm)
  • Serie PVMQ (8 – 11 µm)

Arrays