Datenblätter
Infrarot-Detektoren
Infrarot-Detektoren im TO- oder BNC-Gehäuse
Infrarot-Detektor mit 4-stufiger TE-Kühlung
PEM-Detektor, Zeitkonstante ca. 0,2 ns
Erläuterungen zu dem VIGO IR-Detektorprogramm
Nach den verwendeten Materialen werden die Detektoren in zwei Gruppen eingeteilt
- HgCdTe-Detektoren (oft auch im Deutschen als MCT-Detektoren bezeichnet)
- InAs und InAsSb-Detektoren
Entsprechend der Einordnung der Halbleiterelemente in das Periodensystem spricht man auch von Detektoren aus II-VI-Halbleitern (Hg, Cd, Te) und III-V-Halbleitern (In, As, Sb)
Nach dem Funktionsprinzip werden die IR-Detektoren prinzipiell in drei Gruppen eingeteilt
- PV – Fotovoltaisch
- PEM – Fotoelektromagnetisch
- PC – Fotowiderstand (PC = photo conductor)
Die Infrarot-Detektoren werden hinsichtlich der Kühlungsart in zwei Gruppen eingeteilt, in die ungekühlten Detektoren und die Detektoren mit einer 2, 3- oder 4-stufigen TE-Kühlung (entsprechend die Codierung “2TE”, “3TE” oder “4TE” in der Detektorbezeichnung).
Zusätzlich werden in den Detektorbezeichnungen die Buchstaben “M” und “I” verwendet
- M für Multiple Junction : Eine Vielzahl von seriellen p-n-Übergängen erhöht die Empfindlichkeit der Detektoren und ermöglicht insbesondere größere Detektor-flächen für langwellige Detektoren.
- I für optische Immersion : Die optische Immersion verringert die elektrische Fläche in Relation zur optischen Fläche, dadurch verbessert sich das Rauschverhalten des Detektors erheblich.
Ungekühlte Detektoren
Fotovoltaische Infrarot-Detektoren aus HgCdTe
- Serie PV (3 – 8 µm)
- Serie PVI (3 – 8 µm)
- Serie PVM (8 – 11 µm)
- Serie PVMI (8 – 11 µm)
Fotovoltaische Infrarot-Detektoren aus InAs / InAsSb
- Serie PVA (3 – 8 µm)
- Serie PVIA (3 – 8 µm)
Photoelektromagnetische Infrarot-Detektoren aus HgCdTe
- Serie PEM (2 – 11 µm)
- Serie PEMI (2 – 11 µm)
TE gekühlte Detektoren
Fotovoltaische Infrarot-Detektoren aus HgCdTe
- Serie PV-2TE (2 – 12 µm)
- Serie PV-3TE (2 – 12 µm)
- Serie PV-4TE (2 – 12 µm)
- Serie PVI-2TE (2 – 12 µm)
- Serie PVI-3TE (2 – 12 µm)
- Serie PVI-4TE (2 – 12 µm)
- Serie PVM-2TE (2 – 11 µm)
- Serie PVMI-2TE (2 – 11 µm)
- Serie PVMI-3TE (2 – 11 µm)
- Serie PVMI-4TE (2 – 12 µm)
Fotovoltaische Infrarot-Detektoren aus InAs / InAsSb
- Serie PVA-2TE (3 – 8 µm)
- Serie PVIA-2TE (3 – 8 µm)
- Serie PC-2TE (2 – 13 µm)
- Serie PC-3TE (2 – 14 µm)
- Serie PC-4TE 2 – 14 µm)
- Serie PCI-2TE 2 – 14 µm)
- Serie PCI-3TE 2 – 14 µm)
- Serie PCI-4TE 2 – 14 µm)
Quadrantendetektoren und Arrays
Quadranten-Detektoren aus HgCdTe
- Serie PCQ (3 – 8 µm)
- Serie PVQ (8 – 11 µm)
- Serie PVMQ (8 – 11 µm)
Arrays